TP65H050WS / TP65H035WS তৃতীয় জেনারেশন (জেনারাল III) গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (গাএন) ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এফইটি)

বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় হস্তক্ষেপ (EMI) হ্রাস করে এবং শব্দ প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়িয়ে ট্রান্সফর্মের গাএন এফইটিএস বৈশিষ্ট্য শান্ততর স্যুইচিং

ট্রান্সফর্মের TP65H050WS এবং TP65H035WS হ'ল জেনারেল III 650 ভি গ্যান FETs। এগুলি কম EMI, গেটের শোরগোল প্রতিরোধ ক্ষমতা বৃদ্ধি এবং সার্কিট অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে বৃহত্তর হেডরুম দেয়। 50 mΩ TP65H050WS এবং 35 mΩ TP65H035WS স্ট্যান্ডার্ড TO-247 প্যাকেজগুলিতে উপলব্ধ।

একটি মোসফেট এবং ডিজাইন পরিবর্তন জেনারাল III ডিভাইসগুলিকে 2.1 ভি (জেনারাল II) থেকে বর্ধিত থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (শব্দ প্রতিরোধ ক্ষমতা) 4 ভি পৌঁছে দিতে সক্ষম করে যা নেতিবাচক গেট ড্রাইভের প্রয়োজনীয়তা অপসারণ করে। গেটের নির্ভরযোগ্যতাটি জেনারাল II থেকে 11% পর্যন্ত সর্বোচ্চ 20 ডলার পর্যন্ত বৃদ্ধি পেয়েছে। এটি শান্ততর স্যুইচিংয়ের ফলস্বরূপ এবং প্ল্যাটফর্মটি সহজ বাহ্যিক সার্কিটরি সহ উচ্চতর বর্তমান স্তরে কর্মক্ষমতা উন্নতি সরবরাহ করে।

সিজনিক ইলেকট্রনিক্স কোম্পানির 1600T একটি 1600 ডাব্লু, ব্রিজলেস টোটেম-পোল প্ল্যাটফর্ম যা ব্যাটারি চার্জারগুলিতে 99% পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন (পিএফসি) দক্ষতা আনার জন্য এই উচ্চ ভোল্টেজ গাএন এফইটি ব্যবহার করে (ই-স্কুটারস, শিল্পকৌশল এবং আরও অনেক কিছু), পিসি পাওয়ার, সার্ভারগুলি , এবং গেমিং বাজার। সিলিকন ভিত্তিক প্ল্যাটফর্ম 1600 টি সহ এই এফইটিগুলি ব্যবহারের সুবিধার মধ্যে রয়েছে 2% দক্ষতা বৃদ্ধি এবং পাওয়ার ঘনত্ব 20% বৃদ্ধি করা।

1600T প্ল্যাটফর্মটি শক্ত- এবং নরম-স্যুইচ করা সার্কিটগুলিতে বর্ধিত দক্ষতা অর্জন এবং পাওয়ার সিস্টেম সিস্টেমের নকশা করার সময় ব্যবহারকারীদের বিকল্পগুলি সরবরাহ করতে ট্রান্সফর্মের TP65H035WS নিয়োগ করে। ডিজাইনের সরলকরণের জন্য TP65H035WS জোড়া সাধারণভাবে ব্যবহৃত গেট ড্রাইভারগুলির সাথে।